'

Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.)

Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.)
Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.) — изображение 2
Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.) — изображение 3
Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.) — изображение 4
Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.) — изображение 5

Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.)

89,033.46 ₽

7 в наличии

Артикул: MZ-V9P4T0CW Категория:
SAMSUNG

Описание

Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.)

Детали

Вес 0.11 кг

Бренд

SAMSUNG

Отзывы

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на «Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.)»

Похожие

В корзину