Память оперативная/ Samsung DDR5 DIMM 16GB UNB 5600 1Rx8, 1.1V

Описание

Модуль памяти DDR5 16GB от Samsung, модель M323R2GA3PB0-CWM, обладает тактовой частотой 5600 МГц, что обеспечивает высокую пропускную способность в 44800 Мб/с. Его латентность составляет CL46, а напряжение — 1.1 В. Этот модуль памяти предназначен для использования в компьютерах и других устройствах, обеспечивая надёжное и эффективное функционирование.